內(nèi)存是由哪兩個部分組成

發(fā)布時間：2025-09-09 | 來源：互聯(lián)網(wǎng)轉(zhuǎn)載和整理

內(nèi)存的的種類有二種:一種是雙極型存儲器,別一種是MOS型存儲器.雙極型存儲器主要用于高速的小容量存儲體系.MOS型半導(dǎo)體存儲器,根據(jù)存儲信息機構(gòu)的原理不同,雙分為靜態(tài)MOS型半導(dǎo)體存儲器(簡稱為SRAM)和動態(tài)MOS型半導(dǎo)體存儲器(簡稱為DRAM).SRAM采用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息,只要不斷電,信息就不會丟失;DRAM利用記憶電容來保存信息,使用時只有不斷地給電容充電才能合信息保持.SRAM的集成度較低,功耗也較大;DRAM的集成度較高,功耗低.在現(xiàn)代計算機中,內(nèi)存較大,常由DRAM構(gòu)成.

半導(dǎo)體存儲器的存儲由多個基本存儲電咯組成,每個基本存儲電路對應(yīng)一個二進制數(shù)位