中心國際梁孟松哪里人(梁孟松簡介是哪里人)

發(fā)布時間：2025-08-17 | 來源：互聯(lián)網(wǎng)轉(zhuǎn)載和整理

中心國際梁孟松哪里人？他是清華大學電子工程系畢業(yè)的高材生，曾在美國麻省理工學院留學，獲得博士學位?；貒?，他擔任中芯國際集成電路制造有限公司副總司總經(jīng)理，負責中芯國際的研發(fā)工作。這樣的履歷，放在國內(nèi)也是妥妥的科技精英。然而，他卻選擇了一條不歸路。。2019年7月，張汝京辭去了中芯國際董事長一職，轉(zhuǎn)而擔任中芯國際副董事長、執(zhí)行董事。

1、如何評價梁孟松離開中芯國際？

中國人意識里，官本位嚴重，認為離開了誰地球照轉(zhuǎn)，這是嚴重不尊重人才的體現(xiàn)。很多人視當官為終極目標，當不上官視為人生失敗。為政者不是創(chuàng)造條件，讓科技工作者心無旁務(wù)的搞好研發(fā)工作，而是控制人的思想嚴重。梁如出走，周必自載以絕謝天下！中芯，憂唉！梁和蔣都是不可多得的芯片人才，都要重用，蔣可到華為，粱在中芯，形成北梁南蔣的產(chǎn)業(yè)競爭良性態(tài)勢。

還是被官位思維害了

梁夢松可能將離開中芯國際，這個可能對于中芯國際來說，不是一個好消息。但是從現(xiàn)在的情況來看，國內(nèi)非常注重半導體芯片的生產(chǎn)和研發(fā)，已經(jīng)很多企業(yè)準備涉足芯片生產(chǎn)，這樣來說，梁夢松博士可能也不會離開**的，這個對于其他半導體代工企業(yè)來說，可能是一個好消息了。

梁夢松博士歷經(jīng)臺積電，三星半導體等企業(yè)，都做出了突出的成績。而這幾年以來，由于梁夢松博士的加盟，中芯國際發(fā)展較快，不僅快速突破了14納米，12納米量產(chǎn)技術(shù)，而且N+1代芯片生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)研發(fā)成功，可能也將要開始準備量產(chǎn)，這個技術(shù)水平大概相當于臺積電7納米的工藝制程，只需要28納米DUV光刻機就能夠生產(chǎn)。而且中芯國際N+2代工藝制程技術(shù)的研發(fā)也在緊鑼密鼓的進行，如果未來能夠獲得EUV光刻機的話，那么就能夠生產(chǎn)5納米，甚至3納米制程的芯片了。

而今日，中芯國際準備聘請蔣尚義擔任中芯國際副董事長，而梁夢松作為CEO可能并不知情，這樣的情況是比較罕見的事情。梁夢松作為中芯國際高層管理者，應(yīng)該知曉中芯國際重大的人事變動，但是這個事情，可能梁夢松并不知道，這樣梁夢松可能感覺到有些不受尊重了，可能就想離職了。

從上述梁夢松的貢獻來看，顯然是巨大的。上任的兩三年內(nèi)，接連突破28納米，14納米，12納米，7納米五代芯片量產(chǎn)技術(shù)，一下子就取得了別的半導體工廠十年八年才能夠取得的成績，這樣的貢獻，大家可能也是有目共睹的了。

而現(xiàn)在對于中芯國際來說，如果梁夢松離開，顯然風險可能也是比較大的，雖然7納米以上的量產(chǎn)生產(chǎn)工藝技術(shù)離開了梁夢松，可能暫時問題不大，但是如果考慮到未來研發(fā)的話，那么中芯國際雖然有一個蔣尚義加盟，但是如果想短期內(nèi)追趕上臺積電，感覺上可能就很難了。

綜上所述，梁夢松在中芯國際做出了重大貢獻，如果現(xiàn)在離開，可能會對中芯國際造成比較大的影響。但是現(xiàn)在我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展很快，梁夢松博士可能也不會到國外的，只要是留在國內(nèi)，只要有人給巨額投資，那么可能過個幾年，又一個強大的芯片代工企業(yè)就有可能崛起了。

2、中芯國際光刻機究竟什么層次，有權(quán)威、全面解答嗎？

中芯國際光刻機到底什么層次呢？

我們知道最近中芯國際壓力很大，它發(fā)布通告：稱已知悉美國商務(wù)部工業(yè)與安全局根據(jù)美國出口管制條例向部分供應(yīng)商發(fā)出信函。

并且已經(jīng)對向中芯國際出口的部分美國設(shè)備、配件及原物料會受到美國出口管制規(guī)定的進一步限制，須事前申請出口許可證后，才能向中芯國際繼續(xù)供貨。
其實，我們對于中芯國際應(yīng)該有兩種態(tài)度，第1種態(tài)度，不要過分的夸大中芯國際的能力，實際上中芯國際和目前的頂級芯片代工企業(yè)臺積電等還是有一定的差異，畢竟他們已經(jīng)在研發(fā)更高層次的工藝制程。

第2種態(tài)度，我們也不要小看中芯國際的能力，除了一些主要的頂級芯片代工企業(yè)之外，中芯國際的表現(xiàn)也可圈可點，它能夠滿足大部分芯片的代工需求。

我們也希望中芯國際能夠不斷的拓展它的技術(shù)和能力，能夠滿足我們對于芯片代工的需求。

顯然題主對于芯片制造的設(shè)備根本搞不清，不明白什么是光刻機，也不明白中芯國際到底是做什么的，這里我給題主大致的講解下吧！

1、中芯是代工廠制程可能到了7nm

首先得明白一點中芯國際它自身并不生產(chǎn)光刻機，從業(yè)務(wù)上來說中芯只是代工廠，它的主營業(yè)務(wù)其實和臺積電一樣，主要就是代工生產(chǎn)各種芯片，比如華為7nm麒麟芯片由臺積電生產(chǎn)，而近期華為又將旗下14nm芯片轉(zhuǎn)交給了中芯國際生產(chǎn)。

• 14nm已量產(chǎn)：目前中芯國際的生產(chǎn)工藝以及達到了14nm，2019年年底時已經(jīng)量產(chǎn)，今年的產(chǎn)能會持續(xù)爬坡，2020年底能將達到月約2萬片的產(chǎn)能。同時中芯國際也已經(jīng)完成了下一代新制程工藝的研發(fā)，也就是N+1的工藝，目前已經(jīng)進入了客戶導入驗證階段，2021年底應(yīng)該也能量產(chǎn)。

• N+1制程可達7nm：對于N+1工藝中芯并未明確是多少納米，但按照現(xiàn)有公布的參數(shù)和功耗來算，業(yè)界普遍估計的是7nm工藝。此外，N+2的工藝中芯也已經(jīng)在研發(fā)了，業(yè)內(nèi)認為該工藝屬于7nm的高性能版本。

2、中芯生產(chǎn)需要光刻機

但是，在生產(chǎn)芯片的過程中，中芯國際需要光刻機這樣的設(shè)備，沒有光刻機是無法生產(chǎn)芯片的。目前臺積電使用A *** L的7nm EUV光刻機可以生產(chǎn)7nm芯片，今年下半年應(yīng)該可以用來量產(chǎn)華為的5nm芯片，后續(xù)甚至可生產(chǎn)3nm、2nm芯片。

中芯國際目前還沒有7nm EUV光刻機，此前從AMSL采購了一臺，但是由于各種原因荷蘭 *** 沒有發(fā)放出口許可，因此這臺機器至今到未。

但是沒有7nm EUV光刻機暫時并不影響中芯當前的芯片生產(chǎn)，一個是當前量產(chǎn)的14nm工藝芯片暫時還用不上，其次N+1工藝雖然可能是7nm工藝制程，但仍舊可以使用現(xiàn)有的DUV光刻機來生產(chǎn)，只是生產(chǎn)效率會相對低一些。

因為，有7nm EUV光刻機的情況下，7nm工藝的芯片生產(chǎn)只要曝光一次就可以完成，而DUV的光刻機（下圖為A *** L的DUV光刻機）同樣生產(chǎn)7nm工藝芯片則需要多次曝光才能實現(xiàn)。不過不管怎么說中芯現(xiàn)有光刻機還是可以生產(chǎn)。

3、我國量產(chǎn)光刻機只支持90nm工藝

目前中芯使用的光刻機都不是我國自主生產(chǎn)的，因為國產(chǎn)光刻機水平較低，現(xiàn)有量產(chǎn)機型更高只支持90nm制程工藝，而且也僅有一家廠商能生產(chǎn)，這就是上海微電子。

• 僅有90nm光刻機：上海微電子雖然只能生產(chǎn)90nm光刻機，但他已經(jīng)是國內(nèi)更先進的廠商了，其他一些國產(chǎn)廠商的技術(shù)就更加落后了。在全球范圍內(nèi)，我國的光刻機就是低端水平，中端則有日系廠商（尼康和佳能）占據(jù)，而高端市場就只有荷蘭A *** L。

• 65nm光刻機驗證中：當然，上海微電子對于自己的處境還是比較清楚的，因此現(xiàn)階段也在努力提升自己的技術(shù)。根據(jù)業(yè)內(nèi)的消息，上海微電子早在2018年就已經(jīng)在驗證65nm光刻機，如果按時間來計算的話，預估未來一階段可能會量產(chǎn)此工藝的光刻機。

一旦跨過65nm這道坎，未來應(yīng)該能較快的升級到45nm，乃至28nm工藝上來，因此未來幾年我國的光刻機水平應(yīng)該會有較快的進步。但到了28nm之后，再想要快速增長可能就會變得比較困難起來。

Lscssh科技官觀點：

總體而言，我國現(xiàn)有的光刻機水平偏低，僅有90nm的光刻機和領(lǐng)先的A *** L不是差距不是一點點，未來很長一個階段需要持續(xù)的資金投入研發(fā)。而中芯國際的整體水平還算較好，已經(jīng)量產(chǎn)的14nm工藝和和臺積電、三星的差距相對較小一些，僅有2、3代的差距，未來10年如果發(fā)展順利或許能追趕上。

????中芯國際的高端光刻機來自于荷蘭A *** L，可以量產(chǎn)14nm的芯片，預計今年量產(chǎn)7nm制程工藝的芯片，目前A *** L更先進的光刻機是EUV極紫外光刻機。

????我國生產(chǎn)光刻機的廠商是上海微電子，可以量產(chǎn)90nm工藝的光刻機，占據(jù)了80%的低端光刻機市場，畢竟大多數(shù)芯片是不需要高端光刻機的。

????中芯國際是我國國內(nèi)的晶圓代工廠，并不生產(chǎn)光刻機，高端光刻機主要來自于荷蘭的A *** L，而是利用光刻機生產(chǎn)芯片，根臺積電差不多。

????目前，中芯國際代工14nm制程工藝的芯片，良品率達到了95%以上。華為旗下的海思半導體已經(jīng)下單中芯國際的14nm工藝，從臺積電哪里搶下了不少訂單。

????早在2018年，中芯國際就在A *** L預定了EUV光刻機，用于生產(chǎn)研發(fā)7nm工藝的芯片。但是，因為很多外界因素，至今沒有收貨，被逼無奈下，中芯國際在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上成功研發(fā)了N+1、N+2工藝，也就是7nm工藝。在N+1、N+2代的工藝不會使用EUV工藝，等到EUV設(shè)備就緒之后，才會轉(zhuǎn)向EUV光刻工藝。

????我國生產(chǎn)光刻機的廠商是上海微電子，可以穩(wěn)定生產(chǎn)90nm制程工藝的光刻機，與荷蘭A *** L最新的7nm EUV光刻機還是有很大差距的，而且這些差距是無法跳過的，只有成功量產(chǎn)65nm、24nm等光刻機，之后才能進行下一代光刻機的研發(fā)。

????其實，上海微電子和荷蘭A *** L在光刻機上的差距，反映了我國和西方精密制造領(lǐng)域的差距，一臺頂級的EUV光刻機，關(guān)鍵零部件來自于不同的西方發(fā)達國家，美國的光柵、德國的鏡頭、瑞典的軸承等等，最關(guān)鍵的是這些頂級零部件對我國是禁運的。

????上海微電子作為一家系統(tǒng)集成商，自己并不生產(chǎn)關(guān)鍵的零部件，所以做不出22nm以下的光刻機也不是他的責任。目前，只有做好了中低端，慢慢培養(yǎng)國內(nèi)零部件廠商，才能一點一點的往上走。

????目前，光刻機的大佬是荷蘭的A *** L，占據(jù)了高達80%的市場份額，更先進的EUV光刻機全球只有A *** L能夠生產(chǎn)，技術(shù)門檻極高，是人類智慧集大成的產(chǎn)物。

????A *** L的光刻機，90%的零件均自外來，德國的光學設(shè)備和超精密儀器，美國的計量設(shè)備和光源設(shè)備等，A *** L要做的就是精密控制，在7nm的工藝下，將誤差分擔到13個系統(tǒng)，3萬多個分件。

????EUV光刻機的產(chǎn)量很低，而且A *** L還有一個奇特的規(guī)定，只有投資了A *** L才有優(yōu)先供貨權(quán)，而臺積電、英特爾、三星、海力士都在A *** L有相當可觀的股份，大半個半導體行業(yè)都是A *** L的合作伙伴。

????總之，我國的上海微電子生產(chǎn)的光刻機與荷蘭A *** L還有很大的差距，一個90nm，一個7nm EUV光刻機。在晶圓代工領(lǐng)域，中芯國際和臺積電是競爭對手，一個是量產(chǎn)14nm，一個是量產(chǎn)7nm EUV。

中芯國際光刻機究竟什么層次，有權(quán)威、全面解答嗎？光刻機是芯片制造中重要的核心設(shè)備之一。中芯國際在晶圓代工廠中排名第五位，但工藝制程與臺積電、三星相比還有不少的差距，其光刻機檔次也不高。

擁有全球頂尖的光刻機及先進工藝制程還屬臺積電、三星，這兩家代工廠目前擁有全球更先進的光刻機，可以量產(chǎn)到7nm工藝制程，并且正在向5nm進軍、研討3nm工藝制程的可行性。而中芯國際由于未能擁有全球先進的A *** L高端光刻機，在工藝制造上就顯得要落后不少，去年中芯國際才開始量產(chǎn)14nm工藝制程芯片。

雖然2018年中芯國際就向A *** L高價訂購了一臺先進的高端的EUV光刻機，但由于美國的阻撓又祭出了瓦森納協(xié)議，遲遲不能到位。在此情況下中芯國際在現(xiàn)有設(shè)備基礎(chǔ)上正在研發(fā)新的工藝技術(shù)以達到能夠制造7nm工藝制程芯片。那就是中芯國際所說的N+1、N+2制程。

N+1、N+2可達到7nm工藝制程，但與臺積電的7nm EUV工藝制程又有區(qū)別。臺積電7nm EUV利用先進的EUV高端光刻機，可以一次曝光完成，具有高效而且低功耗特點。而中芯國際的7nm利用多次曝光完成，效率較低，性能有所不如，N+2在N+1基礎(chǔ)上面向的是高性能、但成本會增加。

從目前來看中芯國際與臺積電有2-3代的代際差，其光刻機并非國產(chǎn)的。國產(chǎn)更好的光刻機就是上海微電子 *** EE所生產(chǎn)的面向90nm工藝制程的，差距更為明顯。但國內(nèi)目前已經(jīng)攻克了較為關(guān)鍵的光源問題，比如武漢廣電國家研究中心已經(jīng)研發(fā)出新的技術(shù)，可以達到9nm工藝制程，不過還停留在實驗室階段，離正式生產(chǎn)還有不少的距離。

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3、中芯N+1與A *** L光刻機到底有何區(qū)別？

中芯國際的N+1跟A *** L光刻機有什么區(qū)別？首先我必須指出這個問題邏輯不對，因為中芯國際的N+1的工藝也是要由A *** L的光刻機來完成的，我估計題主的意思應(yīng)該是中芯國際N+1制程工藝跟EUV光刻機的7nm工藝制程有什么區(qū)別吧，這樣我詳細說下中芯國際N+1的制程工藝究竟是怎么樣的。

首先要說明的是中芯國際的N+1是相比較14nm而言，也就是說性能的提升跟面積的減少都是以14nm為基準。

在2019年的第4季度，中芯國際就宣布攻克N+1的制程工藝，而中芯國際方面表示N+1與中芯國際14納米制程比較，效能增加20%、功耗減少57%、邏輯面積減少63%、SoC 面積減少55%，但是在性能方面只提升20%，而真正的7nm的制程工藝性能方面是要提升30%，因此外界普遍認為中心國際N+1就是7nm的制程工藝其實錯誤的，中心國際的N+1應(yīng)該是介意10nm至7nm之間才對，所以中芯國際對外表示不是7nm工藝，而是采用N+1來命名。

兩者有區(qū)別嗎，答案那肯定是有的：

• 首先N+1并未達到7nm的水準，所以之一個就是N+1的性能不如7nm。

• 第二按照中芯國際的說法，N+1的成本略低于7nm，大概低10%。
• 中芯國際的N+1采用是多重曝光的技術(shù)，多曝光一次，芯片的良率就會低一些，所以比EUV的極紫外光技術(shù)的良率要一些。

結(jié)語：芯片行業(yè)一向是高投入高回報，你別看美國人占據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈上端，吃專利費，他的利潤是建立在全產(chǎn)業(yè)上的！只要中國人找到了替代 *** ，剝離美國人，對方就會陷入利潤枯竭，無法研發(fā)下一代技術(shù)的窘境。華為在5G和通訊技術(shù)上的崛起就是走這條路線。如今中芯國際也在重復昨天的故事，我們擺脫控制的過程，就是對方走向衰落的過程。

有了中芯國際的N＋1技術(shù)，就沒有A *** L什么事情了，我們要不要A *** L的EUV 7nm都不重要了！這種說法完全忽略了A *** L的厲害之處，也錯誤的估計了中芯國際的N＋1的技術(shù)優(yōu)勢！

了解中芯國際的N＋1——

其實，我們也知道作為中國目前少有的芯片代工廠，在之前它就已經(jīng)非常杰熟練的掌握了14nmFinFET 制程工藝的量產(chǎn)。

可是，你也得知道目前臺積電，三星都在5nm工藝制程上膠著了。好在，中芯國際的梁孟松提到了，中芯國際最新研發(fā)出了N+1和N+2工藝。

問題來了，因為他的話里提到了，這兩種工藝非常接近7nm工藝。有些人就想當然認為這就是中芯國際的7nm工藝。對不起，你想岔了，雖然它的工藝很先進。但是，它的優(yōu)勢主要集中在——

7nm還是7nm

雖然，技術(shù)進步了?？墒?，它還不是7nm工藝制程，它確實在接近7nm工藝，可是你也得知道的是——它和7nm工藝還有一定的距離。

中芯稱——“N+1 的目標是低成本應(yīng)用，與 7nm 相比，其優(yōu)勢在 10% 左右”。

其實，我比較看好的是N+2，還是需要EUV光刻機進行技術(shù)支持的。這也說明了，技術(shù)確實在進步，但是還是需要A *** L的光刻機，才能更有更好的發(fā)揮。

未來我們只有突破荷蘭光刻機的束縛，才能夠真正的走上一條屬于我們自己的路。而不是，即使技術(shù)發(fā)展，還得依賴A *** L。

中芯國際的N+1是指的是芯片的制程工藝，就像現(xiàn)在所說的14納米，7納米，5納米，甚至3納米制程的芯片。而阿斯麥公司的光刻機則是制造這些芯片的必備機器，中芯國際的N+1制程工藝的芯片與阿斯麥公司的光刻機根本就不是同一類，也無法放在一起進行比較，更沒有什么區(qū)別。非要說區(qū)別的話，那就是中芯國際的N+1和N+2z制程工藝是用阿斯麥提供的深紫外DUV光刻機制造的。

目前來看，國際上芯片的最小制程為7納米，2021年和2022年，臺積電與三星分別量產(chǎn)5納米制程的芯片和3納米制程的芯片。而中芯國際目前已經(jīng)可以生產(chǎn)14納米制程的芯片了，與國際先進水平還差一代。為了追上世界發(fā)展潮流，中芯國際正在全力研發(fā)N+1和N+2制程工藝，其制造出的芯片性能，已經(jīng)無限接近當今的7納米制程了。但也只是接近而已，并不是真正的7納米制程工藝。

據(jù)報道稱:中芯國際采用N+1制程工藝的芯片相比于14nm制程工藝的芯片來說，其性能提升20%，功耗降低57%，邏輯面積縮小63%，SoC面積縮小55%。的確，中芯國際的N+1和N+2制程的工藝已經(jīng)非常接近7納米制程工藝了，但是這是用阿斯麥公司提供的光刻機制造的。因為國產(chǎn)光刻機目前只能量產(chǎn)90納米制程的芯片。

盡管中芯國際的制程工藝還不如三星和臺積電，但是其用14納米制程的芯片良品率已經(jīng)從3%上升至95%，達到了量產(chǎn)14納米制程芯片的水平。也正是因為有了這個水平，才可以接手HW14納米制程FinFET結(jié)構(gòu)的芯片。由此可知，即便是沒有阿斯麥公司出口的極紫外EUV光刻機，量產(chǎn)14納米制程的芯片也沒有什么技術(shù)難題。

但是當米國宣布凡是使用米國的設(shè)備，技術(shù)，專利的公司，向HW提供芯片時，必須要經(jīng)過米國的同意，否則就對其進行制裁。這樣一來，就比較難受了，畢竟阿斯麥的光刻機中，米國提供的部件占了25%，而且還是極為重要的的部件。所以說，中芯國際想要為HW制造QL芯片，就必須經(jīng)過米國的同意才行，否則面臨的就是制裁，有可能發(fā)生斷供，斷維修光刻機的事件。

在這個問題上，中芯國際也是左右為難，所以說發(fā)生這一切的根源就是國產(chǎn)光刻機無法達到量產(chǎn)14納米，7納米制程芯片的要求。不過，國產(chǎn)光刻機已經(jīng)實現(xiàn)了22納米制程的突破，只不過離量產(chǎn)芯片還有一段路要走。據(jù)報道稱:是采用了365納米波長的光源，可以用于制造22納米制程的芯片，經(jīng)過多次曝光后，可以制造10納米制程的芯片。

總而言之，還是需要等待國產(chǎn)先進光刻機的突破，才可以破解這一局面。

中芯國際的問題已經(jīng)不是光刻機能解決的。臺積電沒有A *** L光刻機一樣研制出5nm制程芯片。中芯的短板還是在研發(fā)，雖然14nm已經(jīng)開始量產(chǎn)，但是良率太低。N+1和N+2研發(fā)進度太慢。雖然梁孟松能解決14nm制程問題，但他沒有10nm及以下制程的研發(fā)經(jīng)驗。另外研發(fā)出來良率問題也是一個，要知道中芯在2015年28nm制程就研發(fā)出來了，但是真正量產(chǎn)是在2019年。14nm試量產(chǎn)良率不佳。估計要到今年底才能成熟。未來兩年不可能達到7nm及以下制程。華為如果想量產(chǎn)7nm及以下制程芯片需要自己更大力度參與進去。憑借華為的狼性文化以及高薪資高號召力，相信一年應(yīng)該不成問題。

4、我們能不能投資數(shù)萬億吸納全球頂級芯片專家研發(fā)芯片？

哪怕投資數(shù)萬億，也并一定能夠吸引到很多全球最頂尖的芯片專家（半導體人才）！

即使吸引到眾多頂尖的芯片專家，也不能在短時間內(nèi)造出**產(chǎn)的純國產(chǎn)7nm制程芯片！

投個幾萬億，肯定能招到很多頂尖人才，但最核心的那一撥人，是很難吸引過來的！

……

想要造出更先進制程的芯片，就必須要有眾多頂尖的半導體人才！

在芯片設(shè)計領(lǐng)域，三星、英特爾、華為海思半導體、高通、蘋果、聯(lián)發(fā)科都擁有很多頂尖的芯片設(shè)計專家！

在芯片制造領(lǐng)域，臺積電、三星、英特爾的芯片制造專家綜合實力最強大！

越是頂尖的公司，越是渴望人才，越是會投入重金招募人才；不僅要給錢，還要給股份！

臺積電招募半導體人才，大都是百萬薪酬起步的，很多小公司搶不過！

即使開出了比臺積電更高的薪酬，也不一定能夠搶得過臺積電！

因為很多半導體人才不太差錢，更在乎是否能夠?qū)崿F(xiàn)自己的科研成果，提高自身的技術(shù)水平，達成產(chǎn)學研使命！

只有和更優(yōu)秀的半導體人才一起共事，才更容易持續(xù)攻堅高科技！

……

至于花重金招募半導體人才，最近二三十年來，咱們一直都是這么干的，不僅僅是給錢，還在創(chuàng)造各種適合海外半導體人才發(fā)展的科研環(huán)境！

在吸引半導體人才方面，中國和韓國都是非常拼的！

據(jù)日媒報道，自1970年代中期至今，大約40年左右時間，至少有1000多名日本機電企業(yè)頂級技術(shù)人員流向以中國和韓國為中心的亞洲企業(yè)！

二三十年前，韓國半導體企業(yè)是被美日半導體企業(yè)吊打的；

如今，三星、SK海力士已經(jīng)變成了全球半導體領(lǐng)域的霸主，超越了日本！三星半導體更是與英特爾旗鼓相當！

為了做好半導體產(chǎn)業(yè)，三星集團前會長李健熙曾先后50多次前往美國硅谷，引進技術(shù)和人才！

近年來，中國半導體企業(yè)越來越多，各個公司都在向海外半導體人才伸出橄欖枝！

……

過去，咱們比較落后，即使拿出再多的錢，也很難吸引到半導體人才；

如今，咱們的半導體產(chǎn)業(yè)越來越強了（半導體技術(shù)距離美日韓還有不小的差距），吸引人才的難度低了不少！

多花錢，能夠吸引到一部分人才，加速發(fā)展咱們的半導體產(chǎn)業(yè)（包括芯片制造）！

不過，在關(guān)鍵核心技術(shù)和高精尖設(shè)備上，咱們還是太弱了！

只要再過十來年，咱們定然能夠在更多的高科技領(lǐng)域全面超越美日韓企業(yè)！

……

喜歡的可以關(guān)注浩子哥，謝謝！

認同浩子哥看法的，請您點個贊再走，再次感謝！

我回答的題目是：

我們的芯片人才隊伍建設(shè)總方針應(yīng)當是“全方位與立體化”

按《中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書（2017~2018）》，到2020年前后，我們半導體產(chǎn)業(yè)人才需求規(guī)模約為72萬人左右，而現(xiàn)有人才的存量則為40萬人，缺口將達到32萬。缺的人一定不都是中國頂級以至全球頂級的專家，這樣的專家在全中國和全世界人才隊伍中本就都是占比最小的，自始至今一直都是稀缺的人力資源。本文認為，整個芯片人才隊伍建設(shè)必須確立和遵循“全方位與立體化”這個總方針，或者叫強化對這個總方針的遵循，高端和頂級人才倒是1個必須固定不變的吸納重點。

專家級人才特別是頂級的專家太重要了！屬于芯片科技發(fā)展的中堅力量以至領(lǐng)軍人才嘛。人才本就也是芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心，中堅力量以及領(lǐng)軍人才則是這個核心的核心，從梁孟松到中芯國際僅3年余卻達成了需要花十年以上時間才能達成的任務(wù)這個事實就能看出，所帶領(lǐng)的2000多位工程師之前就在中芯國際供職，可見即便在解決芯片制造燃眉之急和科技隊伍能力迅速提升上也是作用突出的；從美國德州儀器跳槽的張忠謀、張汝京、尹志堯后來取得的輝煌業(yè)績也能夠看出，特別是更能夠看出分別在臺積電、中芯國際、中微半導體長遠發(fā)展上所起到的核心作用，戰(zhàn)略性人才資源。顯然，包括吸納全球頂級專家在內(nèi)，做大做強專家隊伍同樣是我們芯片產(chǎn)業(yè)人才隊伍建設(shè)的重中之重，多多益善，也就應(yīng)當作為投資的主要方向，投資再大也必須舍得。事實上，一直就是我們在芯片人才投資上演出的重頭戲之一，2019年，據(jù)日本經(jīng)濟新聞報道，臺灣已有3000名半導體工程師跳槽至**，約占島內(nèi)4萬名的十分之一；據(jù)韓國貿(mào)易協(xié)會報道，中國企業(yè)用高薪挖走大批韓國電池、半導體、航空等行業(yè)技術(shù)人才，甚至有給出為平均年薪3~4倍待遇的，還給房給車。華為的海思半導體之所以發(fā)展至國際先進，正是由于吸納了全球人才。國內(nèi)企業(yè)以往吸納的人才當中，一定包括專家級人才，盡管總量相比之下一定是不多的；按任正非早前所說，華為整個公司倒是的確有那么多科技大才，包括但不局限于全球頂級的。

“全方位與立體化”這個總方針內(nèi)容豐富。至少包括3個方面，或者叫3個子方針。其一，多層次延攬，即低、中、高、頂級人才全都延攬，這不僅僅因為現(xiàn)在是全都缺；在這個子方針之下，哪個層次人才缺得多當然就是當前吸納和投資的重點了，著力點，重點是動態(tài)性、應(yīng)調(diào)整的，我們目前最急需補上的缺口是中國以及世界的頂級和高端人才，由國內(nèi)的芯片設(shè)計、制造、光刻、材料技術(shù)均為中低端即可看出。其二，多渠道凝聚，包括吸納全球頂級的，而相比之下，挽回在國外的原有人才卻是當前和今后一個時期的重點，有人明顯夸大地說中國流失的人才撐起了美國芯片領(lǐng)域的整片天空，依據(jù)是3年里去美國的中國頂尖人才達500人，當然，我們能夠吸納的外國本土人才不會多，特別是美國及其盟國盟友的，原因不言自明，又特別是芯片制造和光刻2方面人才，這則是因為我們這2方面技術(shù)落后國外更多；還要致力于國內(nèi)培養(yǎng)，包括在芯片企業(yè)內(nèi)和相關(guān)大學當中，面向未來，華為就是這么做的；華為海思通過在世界各地包括歐洲建立研發(fā)中心來就地吸納本土人才的做法也值得借鑒，只是首先得成為像華為那樣的深且廣跨國的企業(yè)；尤其要特別注重留住國內(nèi)現(xiàn)有的人才，這個方面一直以來存在的缺陷最多，本身就需要依靠包括大力投資在內(nèi)的多措并舉來彌補，用環(huán)境、用氛圍，特別是用自立自強和用真抓實干，這是上世紀50~60年代和本世紀初“海歸”們紛紛歸國、紛紛投向半導體行業(yè)的秘密，是最重要的成因，薪酬并不會百試百靈；其三，多目標吸引，即近期、中期、遠期的芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標兼顧，使之渾然一體、承前啟后，重要的是，目標群是建立在戰(zhàn)略清晰、規(guī)劃科學、布局明確、策略得當、體系健全，還有資源配置優(yōu)化、優(yōu)勢發(fā)揮和劣勢克服措施可行的基礎(chǔ)上，使得所確立的各個目標是可實現(xiàn)、可鞏固、可提升的，即發(fā)展是可持續(xù)的，而不是盲目的，更不是忽悠性、炒作性的；在微觀層面，則是不至于造成“力量分”、“投資散”和“效率低”的情況，令人心里不托底進而不相信，如此這般之下，加上前面的2個子方針，不愁全球大才不來、本國人才不留，也不愁流失在外的人才沒有回來的。

首先現(xiàn)在是投資多少錢，短期內(nèi)也無法解決芯片問題。

但是問題就是芯片后面的支撐行業(yè)解決不了。就比如你要蒸一鍋饅頭。蒸饅頭的技藝，你已經(jīng)掌握，而且是一流水平，蒸出來，又好看又好吃。但是突然賣面粉的不賣給你面粉了，而且世界上還就那么2家面粉廠。這時候你想，老子有錢，自己開面粉廠。但是你發(fā)現(xiàn)，賣小麥的也不賣給你小麥了。這時候你又想，難不倒我。我自己種小麥。這時候你發(fā)現(xiàn)，種子人家也不賣給你。

舉這個例子，你就知道華為多難了。

后面這么多程序，因為美國前幾十年的技術(shù)領(lǐng)先，讓整個芯片的產(chǎn)業(yè)鏈，全部都使用了美國的技術(shù)，現(xiàn)在美國說，你如果和華為合作，那就別用我技術(shù)，不讓就制裁你。這就很難短時間解決了。

就拿 光刻膠來說，世界上更先進的荷蘭A *** L董事長就說了，即使中國掌握了先進光刻機的技術(shù)也造不出先進的光刻膠，為啥呢？因為A *** L自己也無法閉門造車。A *** L的光刻機中超過90%的零件都是向外采購，光刻機有上萬個精密零部件，而且一些關(guān)鍵部件的制造公司在全球也就一兩家，還和A *** L交叉持股，產(chǎn)量本就供不應(yīng)求，即使中國有著強大的制造業(yè)，且模仿能力超強，而且投巨資搞研發(fā)，短時間國內(nèi)配套零部件制造也肯定是追不上人家的，技術(shù)經(jīng)驗（積累）和人才儲備都是需要時間的。

一個很尬尷的情況就是，國內(nèi)留不住頂尖人才?？纯辞迦A，北大的高材生都去了哪里？國家花這錢給他們留學，結(jié)果最后都留在了美國。比如全球最強材料學家前六甲均為華人，但我國材料工業(yè)仍然落后。

這個不能以愛不愛國評價，而是要想一下，為啥留不住人才。

少年天才尹希的故事，少年成名?，F(xiàn)在已經(jīng)成為了一名優(yōu)秀的物理學家。也被國際物理學界寄予厚望的青年物理學家之一。本來讀完哈佛博士的尹希應(yīng)該回國的，因為哈佛傳統(tǒng)來說是不讓博士生繼續(xù)在本校讀博士后的，但是哈佛大學為他打破慣例，讓他繼續(xù)在哈佛就讀博士后，而且后來才被報道出來，尹希在讀博期間已經(jīng)加入了美國國籍。

比如李愛珍國內(nèi)頂尖的半導體微材料專家，結(jié)果呢？4次申請國內(nèi)的院士，都被拒絕。而第四次直接以年齡太大拒絕 ，也就標準著她今生與院士無緣了。結(jié)果 2007年5月，李愛珍當選美國國家科學院外籍院士 。

為什么我們留不住人才呢？從前幾天中科院合肥研究院百人離職就可以窺探一二。我們的科研氛圍太復雜?？蒲谐晒磺终?，研究經(jīng)費的下發(fā)不是根據(jù)課題的重要性，而是看其他因素?？蒲蓄I(lǐng)域不同于職場，或者其他什么場。不能有那么多彎彎繞繞，這樣他們才能一心搞研究，如果一幫科研人員整體盯著怎么討好領(lǐng)導，怎么站隊。整體研究職場厚黑學。那心無雜物的一流人才只能選擇離開。

讓科研這一塊純粹一點，不要有學而優(yōu)則士的氛圍。而且保證一流人才的待遇。

高科技行業(yè)是一個高投入，長周期的行業(yè)。不是一朝一夕就能出效果的。所以錢到位只是最基本的條件，其他還需要對人才的尊重，對科研本身的敬畏。然后就只能交給時間了。雖然我們有那樣這樣的問題，但是總體是在往好的方向改善，而且芯片現(xiàn)在已經(jīng)被提到了前所未有的高度，相信在不長的時間內(nèi)，我們可以做到完全自主。

投資數(shù)萬億來吸納全球頂級芯片專家？這種 *** 可行嗎？有可行性，但是成效并不大。因為太多的限制，決定了我們的技術(shù)很難發(fā)展，我們說說限制因素有哪些？

限制因素一：國際封鎖

我們先說一個協(xié)議，這個協(xié)議簽訂于1996年7月，以西方國家為主的33個國家在奧地利維也納簽署了《瓦森納協(xié)定》。

它的規(guī)定中，有一項就是專門針對技術(shù)的限制。它涵蓋了先進材料、材料處理、電子器件、計算機、電信與信息安全、傳感與激光、導航與航空電子儀器、船舶與海事設(shè)備、推進系統(tǒng)等9大類技術(shù)，而我們現(xiàn)在的“芯痛”就在其中。

這種協(xié)議就像一根針插在我們心中，讓我們難以發(fā)展，甚至讓我們的芯片技術(shù)，難以獲得國外先進技術(shù)的共享。

限制因素二：政策壁壘

這種壁壘不僅僅是技術(shù)性的，也是政治性的。有些國家設(shè)置壁壘，來影響我們之間技術(shù)的交流，影響人才之間的交流。

這種國家設(shè)置的壁壘，確實令我們很無奈，我們很難突破這種壁壘的限制。這種限制可能間接導致了一些技術(shù)人才回國，一些國外技術(shù)人才不能來我國。

限制因素三：芯片專家從來都是香饃饃

我們必須知道，芯片專家從來都是香饃饃，沒有任何一家企業(yè)，或者一個國家不重視芯片專家。

資金確實能夠獲得一部分芯片專家，但是對于這些人來說，可能需要的不僅僅是金錢。更為優(yōu)渥的研究條件，更濃烈的學術(shù)氛圍等等都是必要的。

芯片確實制約了我們很多地方的發(fā)展，可是我們也不用妄自菲薄，我們的華為，紫光展銳等等企業(yè)都在發(fā)展芯片，我們更可以確認的是，芯片未來一定能夠解決。

5、中國半導體光刻設(shè)備研究達到了什么水平？

晶圓工廠生產(chǎn)芯片，必須將掩膜版上的電路圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓片上，這就必然要用到先進的前道光刻機。也可以說，光刻在半導體芯片的制造工藝中，是最為關(guān)鍵的工藝環(huán)節(jié)。一般地，光刻的水平是高是低，會直接決定芯片的制程工藝和性能是優(yōu)是差。晶圓工廠在生產(chǎn)芯片的過程中，需要利用光刻機進行20到30次的光刻，所耗用的時間在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中占到一半左右，在芯片的生產(chǎn)成本中占比更是高達三分之一左右。

要論中國的光刻機設(shè)備在技術(shù)上達到了什么樣的水平？那就得看國內(nèi)之一大光刻機制造商上海微電子的光刻設(shè)備是怎么個情況了。

2002年，上海微電子在上海成立，一直致力于研發(fā)并制造半導體設(shè)備、泛半導體設(shè)備和高端的智能設(shè)備，目前的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋芯片前道光刻機、芯片后道封裝光刻機、面板前道光刻機、面板后道封裝光刻機、檢測設(shè)備和搬運設(shè)備等。上海微電子承接了國家規(guī)劃的（重大）科技專項，以及02專項“浸沒光刻機關(guān)鍵技術(shù)的預研項目”（通過了國家驗收）和“90nm光刻機樣機的研制”（通過了02專項專家組現(xiàn)場測試）任務(wù)。

▲上海微電子的光刻機。

▲荷蘭A *** L的光刻機，單臺價值達1億美金左右。

上海微電子的芯片前道光刻機已經(jīng)實現(xiàn)了90nm制程，雖然這比起荷蘭A *** L更先進的EUV極紫外光刻機仍有很大的差距。據(jù)業(yè)界傳言，上海微電子也已經(jīng)在對65nm制程的前道光刻設(shè)備進行研制（目前正在進行整機考核）。光刻機技術(shù)到了90nm是一個很關(guān)鍵的臺階，設(shè)備制造商一旦邁過90nm的臺階，后面就很容易研制出65nm的光刻設(shè)備，之后再對65nm的設(shè)備進行升級，就可以研制出45nm的光刻機。業(yè)者預估，上海微電子的光刻機設(shè)備有望在未來幾年內(nèi)達到45nm的水平。

上海微電子的封裝光刻機在市場上的占有率就相當?shù)母吡耍绕湓趪鴥?nèi)的市場上。上海微電子的后道封裝光刻機已經(jīng)可以滿足各類先進的封裝工藝，且具備向客戶批量供貨的能力，還出口到了國外。上海微電子的芯片后道封裝光刻機在國內(nèi)的市占率有80%，在全球的市占率達40%。另外，上海微電子研制并用于LED制造的投影光刻機，在市場上的占有率為20%。

最后，我覺得有必要補充一則消息，這也是我最近幾天在 *** 上看到的（尚無法考證該消息的真實性）。該消息有這樣一段文字：“2016年底，華中科技大學國家光電實驗室利用雙光束在光刻膠上完成了9nm線寬、雙線間距低至約50nm的超分辨光刻 。未來如果將這一技術(shù)工程化應(yīng)用到光刻機上，我國就可以突破國外的專利壁壘，直接達到EUV極紫外光刻機的加工水平?！?/p>優(yōu)質(zhì)回答2：

芯片是一個高度技術(shù)化的領(lǐng)域，除了華為基本上沒有國產(chǎn)芯片什么事，而在生產(chǎn)芯片必備的光刻機上，國產(chǎn)品牌仍然是落后很多，現(xiàn)在連陪跑都算不上。這就是巨大的差距。

目前全球的光刻機市場基本上是荷蘭的a *** l光刻機市場在壟斷，基本占據(jù)了高端光刻機市場80%的份額，2017年賣出了198臺光刻機，更高級別的是euv光刻機，高達1億歐元的售價。

所以，光刻機領(lǐng)域我國還是只能靠進口，而且在2018年前都不能進口荷蘭最新的a *** l光刻機，因為美國不讓，直到今年才能直接購買最新的a *** l光刻機。

我國光刻機和荷蘭差距巨大，現(xiàn)在荷蘭a *** l光刻機已經(jīng)可以生產(chǎn)7nm的芯片，而我國的光刻機剛剛實現(xiàn)90nm的芯片光刻機功能，差距太大。至少差了五代的產(chǎn)品。

生產(chǎn)我國光刻機，代表光刻機生產(chǎn)更高水平的是上海微電子的前道光刻機，目前可以生產(chǎn)90nm芯片，而正在研發(fā)65nm的芯片設(shè)計，這樣的升級難度比從0到90nm低得多，所以預計很快就可以生產(chǎn)65nm和45nm的芯片了。

上海微電子的后道封裝光刻機已經(jīng)在銷售和出口了，賣的還不錯，這個領(lǐng)域全球市場占有率在40%，所以基礎(chǔ)的實力還是有的。

芯片制造的工藝流程很長，光刻是其中最為關(guān)鍵的一步，由上海微電子生產(chǎn)的SSA600/20國產(chǎn)前道光刻機目前還只能達到90nm工藝。

雖然半導體之一大設(shè)備光刻機中國只能依賴向A *** L進口，但值得注意的是，在半導體第二大設(shè)備「刻蝕機」上，中國已經(jīng)達到了世界頂尖的水平。

2004年，一直在美國硅谷從事半導體行業(yè)，并且曾擔任美國應(yīng)用材料公司副總裁的尹志堯歸國創(chuàng)辦「中微半導體」，3年后團隊研發(fā)的7nm刻蝕機開始打破國外壟斷的局面。尹志堯的前東家應(yīng)用材料和科林認為中微侵犯了它們的知識產(chǎn)權(quán)并提***訟，但中微提供的關(guān)鍵證據(jù)證明自己用的并非是另外兩家的技術(shù)；在中微贏得專利公司以后，美國商業(yè)部于2015年發(fā)布公告，把等離子刻蝕機從禁售名單中移除。

2014年諾貝爾化學獎授予了發(fā)明STED *** 的斯蒂芬·黑爾教授，表彰他利用生物熒光效應(yīng)突破光學衍射極限，實現(xiàn)超分辨光學顯微成像的卓越貢獻。2013年華中科技大學武漢光電國家研究中心甘棕松教授自主研發(fā)出具有雙光子吸收特性的光刻膠，采用類似STED的原理在光刻膠上實現(xiàn)了突破光學衍射極限的SPIN(Super-resolution Photoinduction-Inhibited Nanolithography )超分辨光刻，更好結(jié)果達到單線9納米線寬，雙線間距周期52納米。

甘棕松教授發(fā)明的SPIN超分辨光刻技術(shù)利用自主研發(fā)光刻膠的雙光子吸收特性，采用與獲諾貝爾獎STED *** 同出一轍的二束激光完成光刻加工：一束為飛秒脈沖激光，經(jīng)過擴束整形進入到物鏡，聚焦成一個很小的光斑。光刻膠通過雙光子過程吸收該飛秒光的能量，發(fā)生光物理化學反應(yīng)引發(fā)光刻膠發(fā)生固化。另外一束為連續(xù)激光，同樣經(jīng)過擴束整形后，進入到同一個物鏡里，聚焦形成一個中心為零的空心狀光斑，與飛秒激光光斑的中心空間重合，光刻膠吸收該連續(xù)光的能量，發(fā)生光物理化學反應(yīng)，阻止光刻膠發(fā)生固化。兩束光同時作用，最終只有連續(xù)光空心光斑中心部位的光刻膠被固化?？招墓獍咧行牟课蛔钚∽龅?nm，光刻膠固化的線寬就能達到9nm，雙線間距周期52nm，從而實現(xiàn)突破光學衍射極限的SPIN超分辨光刻加工。

SPIN超分辨光刻技術(shù)應(yīng)用到集成電路步進掃描光刻機可以帶來幾個方面的好處：一方面實現(xiàn)更高的分辨率，最小線寬達到9nm，最小間距周期52nm，成倍提高光刻機的技術(shù)性能，媲美EUV光刻機。另外一方面系統(tǒng)光源采用可見光，可以穿透普通的光學材料，光路設(shè)計相對簡單，現(xiàn)有技術(shù)就能實現(xiàn)。再者，與動輒幾千萬美元的DUV主流光刻機乃至一億多美元售價的EUV光刻機相比，主要光源是一臺可見光飛秒激光器和一臺連續(xù)光激光器，總體制造成本只是主流DUV光刻機的幾分之一。

2002年林本堅提出浸沒式光刻設(shè)想，2007年A *** L與臺積電共同開發(fā)出ArFi浸沒式光刻機，一舉奠定A *** L在光刻領(lǐng)域的龍頭地位。SPIN光刻與浸沒式光刻一樣具有劃時代意義，開展SPIN技術(shù)步進掃描光刻機的工程研發(fā)，希望能在光刻機高端領(lǐng)域彎道超車、有所突破。